IT之家12月10日消息，由于当下摩尔定律放缓，堆叠晶体管概念重获关注，IMEC（比利时微电子研究中心）于2018年提出了堆叠互补晶体管的微缩版CFET技术（IT之家注：即垂直堆叠互补场效应晶体管技术，业界认为CFET将取代全栅极GAA晶体管技术），英特尔和台积电也都进行了跟进。
在今年的IEEE国际电子器件会议（IEDM2023）上，英特尔展示了多项技术突破，并强调了摩尔定律的延续和演变。
首先，英特尔展示了其中 3D堆叠CMOS（互补金属氧化物半导体）晶体管方面取得的突破。
简单来说，研究人员通过将 3D堆叠CMOS晶体管与背面供电和背面接触相结合，实现了业界首次在缩小至60nm的栅极间距下的CFET。
此外，该公司还报告了最近在背面供电技术方面的研发突破的扩展路径，如背面接触（backsidecontacts），并且首次演示了在同一300mm晶圆上（相对于同一封装而言）实现大规模集成硅晶体管和氮化镓（GaN）晶体管。
英特尔这也是其面向未来节点的下一代晶体管扩展的突破性技术进展，从而再次延续了摩尔定律概念。
除了改善背面供电和采用新颖的二维通道材料外，英特尔还致力于实现到“2030年将摩尔定律扩展到单个封装中包含一万亿个晶体管”的目标。
最近，英特尔还宣布了其最新的工艺技术路线图，强调了公司在持续扩展方面的创新，包括PowerVia背面供电，以及用于先进封装的玻璃基板和FoverosDirect等方面，而这些技术预计将在本十年内投入生产。
英特尔表示，这凸显了该公司在全栅晶体管领域的领导地位，并展示了该公司在RibbonFET之外的创新能力，从而使其进一步领先于竞争对手。
英特尔高级副总裁兼组件研究部总经理SanjayNatarajan表示，“随着我们进入Angstrom时代以及确定四年五个节点的目标，持续创新已经变得比以往任何时候都关键。在IEDM2023上，英特尔展示了其在推动摩尔定律的研究进展方面所取得的进展，强调了我们为下一代移动计算提供进一步扩展和高效供电的能力。”
英特尔认为，他们已经超越了“四年五个节点”的目标，并确定了继续使用背面供电技术进行晶体管扩展所需的关键研发领域：
