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IT之家5月14日消息,HBM负责人KimGwi-wook近日在官方公告中声称当前业界HBM技术已经到了新的水平,行业需求促使SK海力士将加速开发过程,最早在2026年推出他们的HBM4E内存,相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
除了HBM4E外,据IT之家此前报道,有消息称SK海力士计划在2025年下半年推出采用12层DRAM堆叠的首批HBM4产品,而16层堆叠HBM稍晚于2026年推出。
HBM4/HBM4E的开发“加速过程”无疑显示了AI领域巨头对高性能内存的强劲需求,日益强大的AI处理器需要更高内存带宽的辅助。