IT之家12月15日消息，DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT）近日出席在旧金山举办的第69届IEEE国际电子器件会议（IEDM），发表了一篇论文，展示了环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术，适用于尖端3nm芯片。
IT之家注：专利中提及GAA技术适用于包括5nm、7nm、10nm和14nm在内的3nm以下芯片，但这并不代表着长鑫存储当前具备制造3nm的能力。
根据《南华早报》报道，长鑫存储虽然没有发布相关的样品，但本次论文的发布，引发了行业分析师对该公司下一代内存的广泛关注，表明长鑫在面对美国封锁下，不断加强自主芯片开发能力。
华邦电子的储存芯片专家FrederickChen表示，长鑫存储的进展令人印象深刻，因为代表这家公司达不断追赶，缩小在技术方面的差距。
长鑫存储发表声明称，该论文描述了与DRAM结构和4F2设计可行性相关的基础研究，与长鑫存储当前的生产工艺无关，暗示该设计纸张还远未成为一种适销对路的产品。
长鑫存储两周前发布，已生产出大陆首款低功耗双倍资料速率5（LPDDR5）DRAM芯片，缩小了与韩国三星和SK海力士等领先厂商的差距。
