《科创板日报》24日讯,据知名科技网站Tom‘s handware消息,台积电N3E工艺良率超预期,N3E SRAM的良率明显高于N3,其中256Mb SRAM的平均良率约为80%,移动设备以及HPC芯片的良率也为80%左右。据悉,N3E工艺为N3工艺的加强版,其性能和功耗表现更好,此前有消息称苹果M3芯片将采用台积电N3E工艺。
台积电N3E工艺良率进展超预期
日期:08-24
《科创板日报》24日讯,据知名科技网站Tom‘s handware消息,台积电N3E工艺良率超预期,N3E SRAM的良率明显高于N3,其中256Mb SRAM的平均良率约为80%,移动设备以及HPC芯片的良率也为80%左右。据悉,N3E工艺为N3工艺的加强版,其性能和功耗表现更好,此前有消息称苹果M3芯片将采用台积电N3E工艺。