三星电子:将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群

日期:07-25
三星

财联社7月25日电,三星电子25日在京畿道华城厂区内的极紫外光刻(EUV)专用V1生产线举行了适用新一代全环绕栅极(简称GAA)技术的3纳米芯片产品出厂纪念活动。据介绍,三星电子将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群(HPC),并计划与主要合作商携手将其扩至移动系统级芯片(SoC)等多种产品群。三星电子计划继华城厂区之后,在平泽厂区也投入量产GAA3纳米芯片。(韩联社)

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