新浪科技讯 10月30日下午消息，据中国台湾地区媒体报道，高通（Qualcomm）新款旗舰手机芯片已完成完成设计（tape-out），确定将采用台积电7纳米制程，供应链传出，高通新款手机芯片已经在第四季量产，最大的特色是整合类神网路运算单元（NPU）及支持5G，可大幅提升人工智能边缘运算效能。
预计包括三星、华为、OPPO、Vivo等非苹阵营手机大厂均将采用，最快明年第一季终端手机可望上市。
新一代的旗舰手机芯片
高通目前Snapdragon 8系列的手机芯片主要采用三星晶圆代工（Samsung Foundry）10纳米制程，虽然三星已宣布支持极紫外光（EUV）微影技术的7纳米制程开始量产，但台积电7纳米已量产进入第三个季度。
也因此，随着苹果及华为的自制手机芯片已采用台积电7纳米制程量产，高通基于上市时间的考量，新一代旗舰手机芯片亦采用台积电7纳米投片。
业界人士指出，高通最新款旗舰手机芯片将于第四季在台积电7纳米制程量产，同时将可望于明年第一季搭载终端装置在市面上问世，并将会是高通首款支持5G数据机芯片的移动平台。目前正式名称在市场上众说纷纭，可能将会延用上一代命名方式，取名做Snapdragon 855或是Snapdragon 8150。
高通本次采用台积电7纳米制程投片，芯片运算效能将可望相较前一代提升不少，功耗亦可明显降低，而最大的特色在于，高通首度将支持人工智能运算的NPU处理单元整合进入手机芯片当中，并同支持5G数据机，使人工智能边缘运算速度明显增加。
安卓阵营高端机采用
高通积极推动5G在明年商用化，由于初期各项产业链在5G投资成本依旧高昂，因此高通也看准这点，仅会在明年初期将5G芯片导入旗舰手机平台，抢攻三星、小米、OPPO、Vivo等安卓高端机种订单，预料明年下半年后才会把5G最新规格逐步下放到中低阶机种，届时将会与联发科面对面战争。
此外，高通推出的快充规格Quick Charge目前最新版为QC 4+，但随着新款手机芯片推出，将可望推出新规格。供应链指出，高通预计将于明年推出QC 5最新快充规格，将可望将最高输出功率从原先的27W提升至32W，并在充电设计上从2条电路该改为3条电路输出，让充电效率提升，同时不让温度明显增加。
