原标题：工信部：推动我国芯片制造领域良率、产量的提升
新京报讯（记者许诺陈维城）2019年10月8日，工信部在其官网上公开了《关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号（公交邮电类256号）提案答复的函》，其中指出，下一步，工信部将继续支持我国工业半导体领域成熟技术发展，推动我国芯片制造领域良率、产量的提升。积极部署新材料及新一代产品技术的研发，推动我国工业半导体材料、芯片、器件、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）模块产业的发展。
工信部在函中指出，为解决工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块等核心部件的关键性技术问题，工信部等相关部门积极支持工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键技术攻关。2017年，工信部部推出“工业强基IGBT器件一条龙应用计划”，针对新能源汽车、智能电网、轨道交通三大领域，重点支持IGBT设计、芯片制造、模块生产及IDM、上游材料、生产设备制造等环节，促进IGBT及相关产业的发展。
工信部还指导湖南省建立功率半导体制造业创新中心建设，整合产业链上下游资源，协同攻关工业半导体材料、芯片、器件、IGBT模块领域关键共性技术。工信部指导中国宽禁带半导体及应用产业联盟发布《中国IGBT技术与产业发展路线图（2018-2030）》，引导我国IGBT行业技术升级，推动相关产业发展。
工信部表示，近年来，我国集成电路产业发展取得了长足进步，但是核心技术受制于人的局面仍然没有根本改变，急需加强核心技术攻关，保障供应链安全和产业安全。在当前复杂的国际形势下，工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块的发展滞后将制约我国新旧动能转化及产业转型，进而影响国家经济发展。
新京报记者许诺陈维城编辑陈莉
